入射能量对薄膜生长影响的模拟研究

来源 :第六届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:quake_bj
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在考虑沉积原子入射能量影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的动力学蒙特卡罗模型,并对薄膜生长的初期过程进行了研究。结果表明:随着入射率的降低和温度的升高,不同入射能量对扩散距离影响的差异逐渐减小。在一定的入射能量和入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射能量的增大而降低;随着入射率的降低,不同能量对最佳成岛温度影响的差异越小。
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