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采用共沉淀法合成了ATO半导体颜料的前驱体,前驱体经过烧结获得半导体颜料,通过XRD、SEM、EDS等手段对颜料进行表征,研究了Sb掺杂量对ATO半导体颜料粉体电阻率和涂层光学性能的影响。研究结果表明,Sb掺杂量对颜料的粉体电阻率和涂层光学性能影响明显,当Sb掺杂量为6%（质量分数）时,制备的颜料粉体电阻率为15.4Ω.cm,涂层红外发射率仅为0.71。