【摘 要】
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本文详细介绍电离辐照在Si—SiO_2界面产生的界面态。通过对铝栅和硅栅MOS器件辐照产生的界面态与时间和偏压之关系的研究,发现存在三种类型的界面态,即缓慢建立的、快速建立
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本文详细介绍电离辐照在Si—SiO_2界面产生的界面态。通过对铝栅和硅栅MOS器件辐照产生的界面态与时间和偏压之关系的研究,发现存在三种类型的界面态,即缓慢建立的、快速建立的和瞬时建立的界面态,并用已经报道的模型对这些界面态产生的机理作了初步说明。
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