铜离子注入镧掺杂BaTiO3半导体陶瓷的阻抗谱研究

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本文应用宽频率范围的阻抗谱测量,分析了铜离子注入(110kev,6×10^15和1×10^17ione/cm^2)镧掺杂BaTiO2半导体瓷在不同温度时的晶粒电阻,晶界电阻和电极与材料界面电阻。提出了相应的等效电路。同时,讨论了离子注入剂量的影响,表明铜离子注入剂量较低时,可以提高材料的PTCR效应。此外,国特性测量分析了铜离子注入样品的PTCR效应。
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