N极性GaN材料借助与传统Ga极性GaN极性相反这一特征,以低接触电阻、高2DEG限阈性,在高频、大功率微波晶体管、增强型器件及传感器等应用方面显示出了极大的优势。首先分析了N极性GaN材料与HEMT器件的特性,指出了其和Ga极性材料与器件的区别及优势。同时研究了N极性GaN材料的生长、HEMT器件结构及性能发展趋势,分析表明随着材料生长及器件制作工艺水平的逐步提高,N极性GaN材料与HEMT器件性能提升很快。特别是AlN插入层的引入、AlGaN背势垒层Si掺杂及Al组分渐变式处理,结合新型绝缘层、源漏凹槽、自对准与InN/InGaN欧姆再生、长颈T型栅、双凹栅槽等新技术,使N极性GaN HEMT器件小信号特性逐步提高。而MOCVD、MBE工艺在N极性GaN材料生长方面的优化,也促进了N极性GaN HEMT器件在C波段和X波段功率放大应用方面的进一步发展。