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硅片直径的不断增大，特征线宽的不断减小，吸除器件有源区域内的金属杂质至关重要。传统的内吸杂已经不能完全满足器件工艺的要求，因此快速热处理技术被引入到直拉硅片的内吸杂工艺中。快速热处理可以使空住在硅中按深度分布，在后续的热处理中促进氧沉淀的形成，从而得到理想的清洁区和氧沉淀密度。探索快速热处理的条件以达到良好的内吸杂效果，具有重要的实用意义。