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进入2016年，3D NAND在全球范围内掀起了一股热潮，除了英特尔、三星等纷纷加大对3D NAND技术的研发和推广力度以外，中国半导体企业武汉新芯也放出豪言，将跳过2D NAND闪存，直接进入3D NAND闪存时代。
作为3D NAND闪存时代多极竞争格局中的重要一员，闪迪公司自然不甘落后。2015年8月5日，闪迪公司发布了256 GB X3 48层3D NAND芯片，并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线。这是闪迪公司首款量产3D NAND芯片，它采用闪迪业内领先的48层BiCS技术开发，巩固了闪迪在X3技术领域的领先地位。
兴趣与职业匹配，那不是最好的选择？
今日闪迪在3D NAND领域的风光无限，与一位华人多年的努力密不可分。他就是现任闪迪公司3D NAND技术副总裁陈健。
陈健是一个典型的“理工男”，以技术立身。在成都电子科技大学获得固态设备物理学学士学位以后，他便来到美国深造，先后获得了美国加州大学伯克利分校的硕士和博士学位。“我研究闪存技术已经有20多年，在攻读硕士和博士学位时所做的研究就与闪存相关。”陈健回忆说，“我在美国加州大学伯克利分校攻读学位时，闪存刚刚发明，不过还停留在理论研究的阶段，并没有可以商用的产品。闪迪公司的一位领导曾经在我们学校做过报告，那时闪迪就给我留下了深刻的印象。”
已经是闪迪公司技术“大拿”的陈健坦言，他当初涉足闪存技术研发时，从来没有想象过，闪存市场能有今天这样的火爆。“我们公司的三个创始人之一Eli Harari博士，拥有多项技术发明，还曾经获得过美国国家技术与创新奖章。他自己也说，从来没有想象过公司会做得这么大，更没有想到闪存可以改变世界。”陈健告诉记者。
自1999年加盟闪迪公司以来，陈健曾在公司的MLC NAND和TLC NAND闪存研发领域担任过多个工程设计领导职务。这些技术对于促进闪存技术在消费电子领域的广泛普及起到了举足轻重的作用。
陈健在闪迪的首个职务是公司第一位研发 NAND技术的设备工程师。他从最基础的技术工程师做起，一步一个脚印，从技术研发逐步走上了技术管理和领导的岗位。2007到2011年，他曾负责管理内存系统架构团队，督导了四代内存的演进，并负责USB、小型闪存卡（CF）、记忆棒、SD/uSD和固态硬盘（SSD）产品的架构设计工作。2011至2013年，陈健担任内存系统工程设计副总裁，率领团队探索建立全新的存储系统架构、生态系统和新兴内存系统。陈健持有100多项获得批准的美国专利，并发明了众多得到广泛应用的关键NAND技术，包括用于消除单元串音的读取法、高级编程法、气隙和二进制缓存等。
陈健是如何与闪迪结缘的？原来，陈健在念书时，最初研究的是器械，但后来发现闪存比一般的模型器械更复杂、更有挑战性，巧合的是，他在学校时做的一个研究项目正好与闪存相关。可能也就是从那时起，研究闪存的这颗种子已经开始在他内心萌芽。从学校毕业后，陈健先是进入了AMD公司，从事NOR内存技术的研发工作，产品主要用于手机。那是上个世纪90年代初，手机的存储芯片容量非常有限。不过，已经跨入闪存这扇大门的陈健，逐渐意识到未来闪存具有非常大的发展空间，于是加盟闪迪公司，这一干就是近20年，从未离开。
螺丝钉精神
上文提及，陈健加入闪迪公司后曾经任职多个岗位，包括技术研发、技术管理等，正是在这些不同岗位的历练让陈健开阔了眼界，不仅积累了丰富的开发经验，而且对于技术的发展趋势也有自己深刻的理解。在闪迪多年的工作经历中，有一段经历现在提起来仍然让陈健难以忘怀。
闪迪与东芝的合作谈判是从1998年开始的。当时，闪迪公司的规模还不大，员工只有一两百人。不过，闪迪让业内众多竞争友商垂涎的是，它拥有非常多的IP。包括三星在内的很多厂商曾经试图收购闪迪，不过都被闪迪拒绝。
闪迪有好的技术和IP，东芝有工厂和强大的生产能力，这是双方合作的重要前提。1999年，闪迪与东芝正式签署合约，开始了双方的合作。双方从2000年起合作建厂，共同开发，工厂投资与产能均是各占一半。合作一直延续到今天。
闪迪与东芝合资建设的第一个工厂其实是在美国。美国“9·11”事件发生后，双方决定将工厂迁到日本。在日本工厂建成后，陈健于2005年1月将全家搬到了日本，由此开始了在日本的将近三年的外派生活。“在日本工作的时候，我是闪迪公司的代表，所以产品开发、测试，以及业务运营，几乎所有事情一手抓。”陈健介绍说，“刚去日本的时候，闪迪在当地的员工还不到十个人，办公就挤在一个小房间里。而现在，我们在日本的员工已经增加到600多人。”
现在，陈健已经不再亲自编写程序，而主要从事技术管理工作，目前总负责闪迪3D NAND项目。不过，因为对技术一直非常感兴趣，所以现在陈健只要能抽出时间，也会去参加一些技术会议，了解最新的技术发展动向。“闪迪公司的3个创始人都是工程师出身，所以闪迪公司也是典型的工程师文化，注重创新。在技术方面，公司所有员工都可以自由交流，关系非常亲密。”陈健表示。
“产品迭代并不是一件容易的事。我们在开发一代新产品之初，也会有茫然的时候，有时根本不知道怎么做。不过，这对我们来说是家常便饭。”陈健举例说，“2004年，我们在研发90纳米的闪存时遇到了障碍，以为闯不过这道关。后来，不仅产品研发出来了，而且良品率非常高。我们每天的工作就是这样，可能要经过多次反复，甚至是失败，当大家感觉山穷水尽的时候，又会被竞争友商的新进展刺激，最终攻克难关。对于前人没有走过的路，我们只能想方设法创新，有些看似很荒唐的想法，也要去试一试，成功可能就躲在哪扇关起来的大门后面。”这可能就是陈健在闪迪工作乐此不疲的原因吧。
3D NAND群雄逐鹿
2015年8月，闪迪发布了256 GB X3 48层3D NAND芯片，当年底便开始商用，并实现了量产。“我们会同时研发多代产品，保持产品的快速迭代。”陈健表示。3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，它通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。有人形象地称3D NAND为平房，而3D NAND是楼房。平面结构的NAND闪存已接近扩展的极限，而3D NAND技术由于采用垂直堆叠了多层数据的存储单元，不仅容量更大、性能更高，而且带来了成本节约和能耗的降低，可以满足消费类移动设备和企业级应用等多种不同的需求。
陈健表示：“2D NAND已经做了20多年，走到了产品生命周期的尽头。大约在2005年，3D NAND概念出现，到现在发展也有十多年，其间经历了无数的磕磕碰碰，甚至被各方否定，但现在终于成了大家公认的主流。毫无疑问，3D NAND是闪存的未来。”
在3D NAND市场上，不仅有公认的四大豪门——闪迪/东芝、三星、SK Hynix、英特尔/美光，还有中国本土的半导体厂商欲借机实现弯道超车。很多公司都宣称，其3D NAND技术最先进，产品最过硬。不过3D NAND市场的争夺才鸣枪，最终鹿死谁手现在还看不出端倪。陈健形容现在3D NAND市场的竞争有点像战国时代，群雄逐鹿，市场空间很大。“对于3D NAND来说，产品好、技术优只是一方面，最后还是要实践来检验，必须得到用户的认可。”陈健表示，“厂商还要具有引领市场未来发展的能力。”闪存芯片厂商都在努力拓展市场，扩大覆盖面。闪迪也希望和OEM合作伙伴一起，推动3D NAND的销售。
作为3D NAND闪存时代多极竞争格局中的重要一员，闪迪公司自然不甘落后。2015年8月5日，闪迪公司发布了256 GB X3 48层3D NAND芯片，并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线。这是闪迪公司首款量产3D NAND芯片，它采用闪迪业内领先的48层BiCS技术开发，巩固了闪迪在X3技术领域的领先地位。
兴趣与职业匹配，那不是最好的选择？
今日闪迪在3D NAND领域的风光无限，与一位华人多年的努力密不可分。他就是现任闪迪公司3D NAND技术副总裁陈健。
陈健是一个典型的“理工男”，以技术立身。在成都电子科技大学获得固态设备物理学学士学位以后，他便来到美国深造，先后获得了美国加州大学伯克利分校的硕士和博士学位。“我研究闪存技术已经有20多年，在攻读硕士和博士学位时所做的研究就与闪存相关。”陈健回忆说，“我在美国加州大学伯克利分校攻读学位时，闪存刚刚发明，不过还停留在理论研究的阶段，并没有可以商用的产品。闪迪公司的一位领导曾经在我们学校做过报告，那时闪迪就给我留下了深刻的印象。”
已经是闪迪公司技术“大拿”的陈健坦言，他当初涉足闪存技术研发时，从来没有想象过，闪存市场能有今天这样的火爆。“我们公司的三个创始人之一Eli Harari博士，拥有多项技术发明，还曾经获得过美国国家技术与创新奖章。他自己也说，从来没有想象过公司会做得这么大，更没有想到闪存可以改变世界。”陈健告诉记者。
自1999年加盟闪迪公司以来，陈健曾在公司的MLC NAND和TLC NAND闪存研发领域担任过多个工程设计领导职务。这些技术对于促进闪存技术在消费电子领域的广泛普及起到了举足轻重的作用。
陈健在闪迪的首个职务是公司第一位研发 NAND技术的设备工程师。他从最基础的技术工程师做起，一步一个脚印，从技术研发逐步走上了技术管理和领导的岗位。2007到2011年，他曾负责管理内存系统架构团队，督导了四代内存的演进，并负责USB、小型闪存卡（CF）、记忆棒、SD/uSD和固态硬盘（SSD）产品的架构设计工作。2011至2013年，陈健担任内存系统工程设计副总裁，率领团队探索建立全新的存储系统架构、生态系统和新兴内存系统。陈健持有100多项获得批准的美国专利，并发明了众多得到广泛应用的关键NAND技术，包括用于消除单元串音的读取法、高级编程法、气隙和二进制缓存等。
陈健是如何与闪迪结缘的？原来，陈健在念书时，最初研究的是器械，但后来发现闪存比一般的模型器械更复杂、更有挑战性，巧合的是，他在学校时做的一个研究项目正好与闪存相关。可能也就是从那时起，研究闪存的这颗种子已经开始在他内心萌芽。从学校毕业后，陈健先是进入了AMD公司，从事NOR内存技术的研发工作，产品主要用于手机。那是上个世纪90年代初，手机的存储芯片容量非常有限。不过，已经跨入闪存这扇大门的陈健，逐渐意识到未来闪存具有非常大的发展空间，于是加盟闪迪公司，这一干就是近20年，从未离开。
螺丝钉精神
上文提及，陈健加入闪迪公司后曾经任职多个岗位，包括技术研发、技术管理等，正是在这些不同岗位的历练让陈健开阔了眼界，不仅积累了丰富的开发经验，而且对于技术的发展趋势也有自己深刻的理解。在闪迪多年的工作经历中，有一段经历现在提起来仍然让陈健难以忘怀。
闪迪与东芝的合作谈判是从1998年开始的。当时，闪迪公司的规模还不大，员工只有一两百人。不过，闪迪让业内众多竞争友商垂涎的是，它拥有非常多的IP。包括三星在内的很多厂商曾经试图收购闪迪，不过都被闪迪拒绝。
闪迪有好的技术和IP，东芝有工厂和强大的生产能力，这是双方合作的重要前提。1999年，闪迪与东芝正式签署合约，开始了双方的合作。双方从2000年起合作建厂，共同开发，工厂投资与产能均是各占一半。合作一直延续到今天。
闪迪与东芝合资建设的第一个工厂其实是在美国。美国“9·11”事件发生后，双方决定将工厂迁到日本。在日本工厂建成后，陈健于2005年1月将全家搬到了日本，由此开始了在日本的将近三年的外派生活。“在日本工作的时候，我是闪迪公司的代表，所以产品开发、测试，以及业务运营，几乎所有事情一手抓。”陈健介绍说，“刚去日本的时候，闪迪在当地的员工还不到十个人，办公就挤在一个小房间里。而现在，我们在日本的员工已经增加到600多人。”
现在，陈健已经不再亲自编写程序，而主要从事技术管理工作，目前总负责闪迪3D NAND项目。不过，因为对技术一直非常感兴趣，所以现在陈健只要能抽出时间，也会去参加一些技术会议，了解最新的技术发展动向。“闪迪公司的3个创始人都是工程师出身，所以闪迪公司也是典型的工程师文化，注重创新。在技术方面，公司所有员工都可以自由交流，关系非常亲密。”陈健表示。
“产品迭代并不是一件容易的事。我们在开发一代新产品之初，也会有茫然的时候，有时根本不知道怎么做。不过，这对我们来说是家常便饭。”陈健举例说，“2004年，我们在研发90纳米的闪存时遇到了障碍，以为闯不过这道关。后来，不仅产品研发出来了，而且良品率非常高。我们每天的工作就是这样，可能要经过多次反复，甚至是失败，当大家感觉山穷水尽的时候，又会被竞争友商的新进展刺激，最终攻克难关。对于前人没有走过的路，我们只能想方设法创新，有些看似很荒唐的想法，也要去试一试，成功可能就躲在哪扇关起来的大门后面。”这可能就是陈健在闪迪工作乐此不疲的原因吧。
3D NAND群雄逐鹿
2015年8月，闪迪发布了256 GB X3 48层3D NAND芯片，当年底便开始商用，并实现了量产。“我们会同时研发多代产品，保持产品的快速迭代。”陈健表示。3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，它通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。有人形象地称3D NAND为平房，而3D NAND是楼房。平面结构的NAND闪存已接近扩展的极限，而3D NAND技术由于采用垂直堆叠了多层数据的存储单元，不仅容量更大、性能更高，而且带来了成本节约和能耗的降低，可以满足消费类移动设备和企业级应用等多种不同的需求。
陈健表示：“2D NAND已经做了20多年，走到了产品生命周期的尽头。大约在2005年，3D NAND概念出现，到现在发展也有十多年，其间经历了无数的磕磕碰碰，甚至被各方否定，但现在终于成了大家公认的主流。毫无疑问，3D NAND是闪存的未来。”
在3D NAND市场上，不仅有公认的四大豪门——闪迪/东芝、三星、SK Hynix、英特尔/美光，还有中国本土的半导体厂商欲借机实现弯道超车。很多公司都宣称，其3D NAND技术最先进，产品最过硬。不过3D NAND市场的争夺才鸣枪，最终鹿死谁手现在还看不出端倪。陈健形容现在3D NAND市场的竞争有点像战国时代，群雄逐鹿，市场空间很大。“对于3D NAND来说，产品好、技术优只是一方面，最后还是要实践来检验，必须得到用户的认可。”陈健表示，“厂商还要具有引领市场未来发展的能力。”闪存芯片厂商都在努力拓展市场，扩大覆盖面。闪迪也希望和OEM合作伙伴一起，推动3D NAND的销售。