论文部分内容阅读
采用电共沉积制备GaAs薄膜,研究了电流密度、溶液中离子浓度比、pH值等电沉积参数对膜层质量的影响,并在观察膜层莆貌的基础上,测定了膜层化学成分晶格结构和能级位置、带隙值等幸导体性能,测试结果证明膜的直接带隙材料性、带隙密度为1.40eV,薄膜成分为Ga0.9946As1.0054,接近化学计量的GaAs。