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采用电共沉积制备ＧａＡｓ薄膜，研究了电流密度、溶液中离子浓度比、ｐＨ值等电沉积参数对膜层质量的影响，并在观察膜层莆貌的基础上，测定了膜层化学成分晶格结构和能级位置、带隙值等幸导体性能，测试结果证明膜的直接带隙材料性、带隙密度为１．４０ｅＶ，薄膜成分为Ｇａ０．９９４６Ａｓ１．００５４，接近化学计量的ＧａＡｓ。