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本文对InP微波光电器件的物理特性进行了研究。具体分析了InP材料中产生微分负迁移率的条件。介绍了InP材料的速度场特性,计算了InP体效应器件理论上可获得的最大效率,对在InP器件中形成稳定畴的条件进行了详细的数学分析。更多还原
InP微波光电器件的物理特性
【摘 要】
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本文对InP微波光电器件的物理特性进行了研究。具体分析了InP材料中产生微分负迁移率的条件。介绍了InP材料的速度场特性,计算了InP体效应器件理论上可获得的最大效率,对在In
【机 构】
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北京师范学院分院,中科院北京半导体所
【出 处】
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光电子·激光
【发表日期】
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1992年2期
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