Ni/Si接触界面的ESCA研究

来源 :厦门大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:lislin
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利用XPS、UPS等表面分析方法对Ni/Si接触的界面体系进行了研究,Ni-Si界面在室温下形成不稳定的多晶混层,其演化过程为:NiOx/金属Ni/富Ni相/Ni-Si互混相/富Si相/Si,同样Ni-Si界面经650℃真空退火形成均匀的NiSi2界面层,表层并有SiO2相存在,说明硅化物的生成过程为:Ni与SiO2接触产生金属氧化物,加热后逐步形成金属硅化物,讨论了NiSi2的化学键形成。
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