【摘 要】
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运用射频溅射斜角沉积(OAD)制备铟锡氧化物(ITO)薄膜,对薄膜在250℃下进行热处理,采用基体倾斜和退火相结合的方法对材料的形貌和结构进行改性,从而改变材料的光学性能.对薄
【机 构】
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Department of Applied Physics, CINVESTAV-IPN, Unity Mérida. 97310 Mérida, Yucatán, MéxicoMaterials S
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运用射频溅射斜角沉积(OAD)制备铟锡氧化物(ITO)薄膜,对薄膜在250℃下进行热处理,采用基体倾斜和退火相结合的方法对材料的形貌和结构进行改性,从而改变材料的光学性能.对薄膜的形貌表征观察到倾斜的纳米柱、柱间裂纹和结构变化.沉积的薄膜具有非晶成分,结构无序;退火后薄膜被晶化,更加有序;薄膜XRD衍射图样与In2O3的立方结构相对应.随着纳米柱倾角的变化,沉积薄膜的折射率可以提高到0.3,退火薄膜的折射率可以提高到0.15.同样,由于微应变的减少,带隙能增加到0.4 eV左右.结果还发现,微应变分布与晶格畸变、缺陷和薄膜中裂纹的存在有关,因此,可以通过改变薄膜的形貌实现对其光学性质的调整.
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