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康普顿背散射成像的蒙特卡罗模拟
康普顿背散射成像的蒙特卡罗模拟
来源 :核电子学与探测技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhai4053
【摘 要】
:
康普顿背散射成像是利用康普顿效应判断被照射物体内部结构的方法,广泛应用于工业和医学诊断领域.介绍应用MCNP程序模拟康普顿背散射成像的问题,计算了以250keV电子轰击钨靶
【作 者】
:
曹军生
刘以农
倪建平
【机 构】
:
清华大学工程物理系
【出 处】
:
核电子学与探测技术
【发表日期】
:
2003年2期
【关键词】
:
康普顿
蒙特卡罗
MCNP
背散射
Compton
Monte Carlo
MCNP
backscatter
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康普顿背散射成像是利用康普顿效应判断被照射物体内部结构的方法,广泛应用于工业和医学诊断领域.介绍应用MCNP程序模拟康普顿背散射成像的问题,计算了以250keV电子轰击钨靶产生的X射线谱为源的X射线检测碳和铁的康普顿背散射光子角分布,得到这两种物质的不同散射特性.
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