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对R3SiX（R=H、CH3；X=F、Cl、Br、I）与NR＇3（R’=H、CH3）的加成物用量子化学密度泛函方法在B3LYP／631g（d,p）基组下（X原子采用cep-121g基组）进行了两种加成方式的研究．一种是NR＇3沿Si-X键轴向位置的加成，另一种是NR＇3沿Si-X键侧向接近的加成．计算结果表明，前者更稳定且更容易形成加成物；Si上斥电子基团不利于Si-N键的形成，而N上斥电子基团则有利于Si-N键的形成；NH3-H3SiX系列和N（CH3）3-H3SiX系列均能以两种方式进行加成，NH3-