静电感应晶体管的静态Ⅰ—Ⅴ特性

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tjc
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
静电感应晶体管表现为势垒温度限制工作状态和类真空三极管的输出特性。决定器件特性的电势分布图中具有一个势垒,此势垒由于栅压和漏压的变化产生的负反馈而自动进行调整。势垒不存在时,导致了器件的空间电荷限制工作状态。在前一种情况,通过势垒电流和所加的端电压成指数关系,而在后一种情况,通过放大作用,电流同所加端电压成渐近线的比例关系。静态特性的温度效应表明,静电感应晶体管可以设计成输出特性与温度效应有关和与温度效应无关两种情况,或者通过适当选择工作状态,使温度效应被抵消。 Static induction transistor performance for the barrier temperature limit the working state and the output characteristics of the vacuum transistor. The potential profile that determines device characteristics has a potential barrier that is automatically adjusted due to negative feedback due to changes in gate voltage and drain voltage. When the barrier does not exist, the space charge of the device is limited to the working state. In the former case, the current through the barrier is exponentially related to the applied terminal voltage, and in the latter case, the current is proportionally asymptotically added to the applied terminal voltage by amplification. The static characteristics of the temperature effect shows that the electrostatic induction transistor can be designed to output characteristics and temperature effects and temperature effects have nothing to do the two cases, or by proper choice of working conditions, so that the temperature effect is offset.
其他文献
众所周知,简单地由电容器,电阻和开关(一般为闸流管或电子开关)所组成的扫描电路(图1)所产生的锯齿形电压的线性程度在幅度比较大时即不能令人满意。利用 It is well-known
1、绪言在半导体集成电路中,随着器件的高性能化和尺寸微细化,图形曝光技术已由可见紫外光法发展到电子束和软X射线法,并正趋于实用化。一般集成电路用硅基片晶体生长技术的
光刻技术是制造半导体器件的重要工艺之一,自六十年代初,在半导体工业得到运用以来,大大促进了半导体器件和集成电路的发展,至今仍占有重要地位.随着半导体器件向更高频率和
在物理学习中,正确运用数学方法,是高效解决物理问题的关键。通过举例分析对物理解题过程中常用的三角函数、方程、不等式做了简单介绍,为日常教学中培养学生采用数学知识解
主要探讨如何利用Novell网络的通讯机制 ,以客户 /服务器方式去实现对公用教学网络计算机机房的实时管理 ,从而解决公用网络计算机机房管理上现存的若干问题。 It mainly di
深陷水门事件里的尼克松,几十年间,一直封存在美国人的复杂记忆里,也一直活在好莱坞的银幕上好莱坞演员奥利弗·普拉特那一年12岁,当时他在日本。身为外交官的父亲那天开车带
一天早晨去亚特兰大机场,我搭乘一辆载着旅客从航空集散站驶向登机口的列车。这些免费列车成天来来回回地奔驰,单调无味,机械呆板。没几人觉得这些车多么有趣,但这个周六我听
丰富的侨力资源是中国独特的发展机遇。在新的历史时期,新一届中央领导以科学发展观统揽全局,坚持“以人为本,维护侨益,为侨服务,凝聚侨心,发挥侨力”的侨务新理念。本文通过
交通运输业一节中,运输方式特点的教学是一大难点,具体反映为记忆过程长、易混淆、运用难.列表格对比的方法记忆难度大,不易达到学以致用的目的.
本文报导了一种用电容放电代替常规热合金化实现 Al-Si 欧姆接触的简捷方法。该法能有效地抑制导致浅结器件失效的 Al-Si 互扩散现象,从而具有良好的结特性。 This paper re