【摘 要】
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本文对复合掺杂的CeO2基电解质材料的断口和表面形貌进行了扫描电镜观察,发现用Sm2O3和Gd2O3共同掺杂CeO2基电解组质分(CeO2)0.8(Sm2O3)0.1(Gd2O3)0.1,随着烧结温度的提高,晶
【机 构】
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天津大学材料学院,天津,300072河北工业大学材料学院,天津,300130;
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本文对复合掺杂的CeO2基电解质材料的断口和表面形貌进行了扫描电镜观察,发现用Sm2O3和Gd2O3共同掺杂CeO2基电解组质分(CeO2)0.8(Sm2O3)0.1(Gd2O3)0.1,随着烧结温度的提高,晶粒持续长大,由1400℃烧结时的2～3μm长大到1600℃烧结时的10～12μm,单位尺寸内的晶界数量减少;各温度烧结样品的断口都呈穿晶断裂.随着烧结温度的提高,电导率下降,原因可能是由于晶间玻璃相的增多.
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