【摘 要】
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目前化学气相沉积（CVD）方法在不同的金属基底上大规模生长获得石墨烯得到了广泛的应用;同时扫描隧道显微镜（STM）做为一种强大的精细直观的研究手段可以用于表征金属衬底上石墨烯
【机 构】
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北京大学化学与分子工程学院,北京大学工学院材料科学与工程系
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目前化学气相沉积（CVD）方法在不同的金属基底上大规模生长获得石墨烯得到了广泛的应用;同时扫描隧道显微镜（STM）做为一种强大的精细直观的研究手段可以用于表征金属衬底上石墨烯的微观形貌,指导石墨烯的控制生长.本文侧重于Cu箔、Pt箔和Ni衬底上石墨烯的控制生长、表面微观形貌、表面缺陷态、堆垛形式的阐述,得到结论：（1）两种溶碳量较低的金属（Cu,Pt）上,石墨烯的生长都符合表面催化的生长机制,同时层间的范德华相互作用也可以诱导双层石墨烯的生长;（2）衬底粗糙度的增加可以使石墨烯的电子态去简并化,从而破坏石
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