硫属玻璃半导体及其光电二极管的研究评述

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本文概述了硫属玻璃半导体的物理结构、能带和电子态。文中主要讨论了非晶硫属半导体光电二极管阻挡层和各种组合结构的电子—空穴对的迁移机理。掺杂不均匀所形成的自建电场效应以及为莸得各种组合比分布的多层膜蒸发技术。这种梯度组合的光电二极管作为硒砷碲摄象管的光电导靶,能获得非常好的特性。 This article outlines the physical structure, energy band and electronic states of chalcogenide glass semiconductors. In this paper, the migration mechanism of electron-hole pairs in amorphous chalcogenide semiconductor photodiode barriers and various combinations of structures is discussed. Self-built electric field effect caused by non-uniform doping and multi-layer film evaporation technology for obtaining various combinations of ratio distribution. This gradient combination of photodiodes serves as a photoconductive target for selenium, arsenic and telluride phototools and yields very good characteristics.
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