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引入了双曲正割平方势来描述超晶格量子阱中的电子运动，利用这个相互作用势把电子的Schrǒdinger方程化为了超几何方程，并以Ga1-xAlxAs／GaAs／Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带间跃迁。结果表明，阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关。于是，可望通过对势阱参数的控制来得到不同光电特性的量子阱材料。