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为了提高功率MOSFET的开关速度，从功率MOSFET的开关机理加以分析，通过用仿真与电路实验相结合的方法，研究出了功率MOSFET栅极的“过”驱动技术，大大加快了功率MOSFET的开关速度。
基于固体开关器件的“过”驱动技术研究
【摘 要】
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为了提高功率MOSFET的开关速度，从功率MOSFET的开关机理加以分析，通过用仿真与电路实验相结合的方法，研究出了功率MOSFET栅极的“过”驱动技术，大大加快了功率MOSFET的开关速度。
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所
【出 处】
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现代电子技术
【发表日期】
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2012年2期
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