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采用电沉积方法在Cu基底上制备一层In薄膜得到Cu-In扩散偶。将扩散偶在T=453K、503K和553K时分别进行t=20min、40min、60min和90min的热处理。实验结果表明,在Cu-In扩散偶界面形成了不同厚度的金属间化合物层Cu11In9相;将Cu11In9相的厚度与热处理时间的关系按经验公式进行拟合,得到比例常数k和生长速率时间指数n;k和n值的大小表明,金属间化合物Cu11In9相层的生长速率受扩散和固态铜在液态铟中的溶解共同控制。