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化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化的主要手段,分析CMP过程的声发射特征对探究CMP机理、监测CMP过程具有重大意义。以半导体互连材料铜为对象,分析铜CMP过程的声发射特征,探索CMP过程产生声发射（AE）信号的机制。研究发现：随着抛光压力和抛光垫转速的增加,AE信号强度增大;CMP过程通入的液体成分对AE信号有较明显的影响;AE信号的能量主要分布在两个频段,其中高频成分能够表征CMP过程的划痕。