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对有限负压下熔体硅中磷的挥发去除进行研究.采用电子级硅配制Si-P合金,并采用GD-MS来检测实验前后硅中的磷含量.理论计算结果表明:在有限负压下,硅中的磷以P和P2的气体形式从熔体硅中挥发.实验结果显示:在温度1 873 K、真空度0.6-0.8 Pa、熔炼3600s的条件下,熔体硅中的磷从0.046%(460ppmw)下降到0.001%(10ppmw).实验结果与理论结果一致表明:当熔体硅中磷的含量大且炉腔内气压相对较高时,磷的去除与气压高度相关;而当炉腔气压很低时,磷的去除基本与气压无关.原因是在相对高磷含量的熔体硅中,磷主要以P2气体的形式挥发;在磷含量较低时,磷主要以单原子气体P的形式挥发.