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通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60%～80%,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程中更容易产生非发光陷阱所致。
偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响
【摘 要】
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通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60%～80%,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,
【机 构】
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电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2011年5期
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