【摘 要】
：
从Si纳米线场效应晶体管（SiNWFET）的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心
论文部分内容阅读
从Si纳米线场效应晶体管（SiNWFET）的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和抑制短沟道效应起着关键作用。针对Si纳米线的制备,介绍了光刻、刻蚀与热氧化等自上而下的方法和气-液-固生长这种自下而上的方法。分析了SiNWFET的电学性能,探讨了为改善电学性能而进行的器件结构和工艺的改进,包括选择沟道取向,采用多条纳米线、应变纳米线或新材料
其他文献
阐述了谐振隧穿器件构成的与非门、单／双稳逻辑转换电路、或非门、流水线逻辑门、D触发器、静态存储器、多值逻辑和静态分频器等数字单片集成电路，它们具有高频高速、低功耗、
随着金融危机影响的不断扩大,我国经济也遭受了巨大的冲击。为了抵御经济衰退,中国人民银行相机抉择,果断实行了扩张性的货币政策。通过AD-AS模型分析和货币政策内外部效应指
目前，劳动与社会保障专业人才培养模式在教学内容、课程设置、教学方法等方面存在问题。要培养创新型人才，必须密切关注市场需求，按照知识经济发展趋势和劳动与社会保障专业教育
容隐制度是中国古代社会长期存在的一项极富人伦亲情的制度，也是目前世界各国普遍采用的一项制度。然而，自新中国成立之后这一制度却被排斥出社会主义的立法体制。在今天我们追
从AlGaN／GaN沟道阱电子状态出发，深入研究了GaN HFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒，来抬高势垒和增大势垒宽度，强化沟道阱的量子限制。强调了
辽宁省是中国最早的重工业基地,其振兴必须要调整产业结构.英国、德国等老工业基地的振兴历程告诉我们,旅游业是老工业基地振兴的重要牵动性产业,辽宁老工业基地的振兴离不开
河南农业大学牵头组建的河南粮食作物协同创新中心,扎根中原沃土,通过不断完善工作机构、细化团队任务、创新考核方式等精准施策,科技创新活力得到激发,河南"一大优势、一张
当前随着大学生休闲时间的增加,大学生的休闲生活实态愈加丰富,但也存在不容乐观的方面,即休闲生活观念狭隘、层次不高、道德失落等。其最根本的原因是大学生在休闲生活中无
通过对河南省滑县玉米主要茎秆越冬害虫的区域调查,初步明确了滑县玉米蛀茎害虫的优势种为大螟,玉米秸秆带虫率为34%,其次为亚洲玉米螟,带虫率为11.57%,第三为桃蛀螟,带虫率
Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度，成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN／GaN异质结构中二维电