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本文提出一种制作硅基发光图形的方法，利用ＳｉＯ２作掩膜，通过Ｃ＾＋离子选区注入，退火处理及电化学腐蚀，使样品的单晶区形成多孔硅红－绿色发光区，注Ｃ＾＋区域形成多孔ＳｉＣ的蓝光发射区域，构成双色发光图形。
硅基双色发光图形的研制
【摘 要】
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本文提出一种制作硅基发光图形的方法，利用ＳｉＯ２作掩膜，通过Ｃ＾＋离子选区注入，退火处理及电化学腐蚀，使样品的单晶区形成多孔硅红－绿色发光区，注Ｃ＾＋区域形成多孔ＳｉＣ的蓝光发射区域，构成双色发光图形
【机 构】
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南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室,210093
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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