铜薄膜的直流磁控溅射制备与表征

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根据薄膜的形成机理,用直流磁控溅射方法制备出了表面结构平滑、致密的Cu薄膜。实验中,采用纯度〉99.9%的铜靶,工作气压保持在2.7Pa不变,玻璃衬底温度随环境温度变化。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)研究了薄膜的织构、晶粒尺寸和表面形貌。结果表明,随着溅射功率增大,薄膜织构减弱;溅射功率增大和溅射时间增加均可使薄膜的晶粒尺寸增大,在溅射功率≤100W时获得的薄膜晶粒细小,有裂纹缺陷;溅射功率为150W,溅射时间为30min时,薄膜表面结构平滑、致密,晶粒尺寸相对较大。须进一步改进工艺参数,如
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