三维鳍式GaN高线性微波功率器件技术获重要突破

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中国电科(CETC)第五十五研究所(NEDI)4月12日报道,该所重点实验室张凯博士发表在国际半导体器件权威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的论文《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》即《三维鳍式GaN高线性微波功率器件》被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》进行专栏报道,受到国内外业界关注。 The CETC’s 55th Institute (NEDI) reported on April 12 that Dr. Zhang Kai, a key laboratory at the institute, published the paper “High-Linearity AlGaN / GaN FinFETs for Microwave Power Applications ”,“ Three-dimensional fin GaN high linearity microwave power device ”by the international semiconductor industry magazine“ Semiconductor Today ”a column reported by domestic and foreign industry attention.
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