【摘 要】
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以高氢稀释的硅烷（Si H4）为反应气体,硼烷（B2H6）为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅（a-Si∶H）薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅（a-Si∶H）薄膜的光学性
【机 构】
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武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室
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以高氢稀释的硅烷（Si H4）为反应气体,硼烷（B2H6）为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅（a-Si∶H）薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅（a-Si∶H）薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000 W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱和反射谱,并利用该系统的软件拟合得出薄膜的折射率、消光系数、吸收系数等光学性能参数,利用Tauc法计算掺硼的非晶硅薄膜的光学带隙.实验结果表明,随着硼掺杂量的增加,掺杂非晶硅薄膜样品在同一波长处的折射率先增大后减小,而且每一样品均随着入射
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