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研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。
GaAsVHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究
【摘 要】
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研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。
【机 构】
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石家庄电子部第１３研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1996年3期
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