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围绕真空灭弧室关键技术--金属与陶瓷件间的封接,开展了新型封接工艺--DCB技术封接真空灭弧室的探索研究.对封接强度进行了研究与分析,弄清了Cu-Al2O3瓷DCB键合强度随Cu表面含氧量变化的规律,并就含氧量对键合强度的影响进行了较深入的研究.
DCB技术应用在真空灭弧室封接中的探索研究
【摘 要】
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围绕真空灭弧室关键技术--金属与陶瓷件间的封接,开展了新型封接工艺--DCB技术封接真空灭弧室的探索研究.对封接强度进行了研究与分析,弄清了Cu-Al2O3瓷DCB键合强度随Cu表面
【机 构】
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西安交通大学电气绝缘研究所
【出 处】
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高压电器
【发表日期】
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2004年期
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