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用数值方法求解潭移－扩散模型下半导体基本方程组以及耦合的场致发射方程，对硅的场致发射特性进行数值模拟，模型中包含以往输运方程模型中未考虑的碰撞电离现象，模拟结果表明，当发射电流较大时，硅场致发射主要受体内电子向发射表面输运过程的限制，碰撞电离现象对输运过程有显著地影响。该模型有助于更全面地了解硅场致发射阴极内部的物理状态。