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报道了砷掺杂基区n-on-p长波碲镉汞平面结器件的电流电压特性、光谱响应特性,并同p型汞空位n-on-p长波碲镉汞平面结器件进行对比分析,发现砷掺杂基区长波器件的很多性能如优值R0A、电流响应率、黑体探测率都要优于汞空位基区长波器件。
砷掺杂基区n-on-p长波光伏碲镉汞探测器的光电特性
【摘 要】
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报道了砷掺杂基区n-on-p长波碲镉汞平面结器件的电流电压特性、光谱响应特性,并同p型汞空位n-on-p长波碲镉汞平面结器件进行对比分析,发现砷掺杂基区长波器件的很多性能如优
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所材器中心
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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2009年05期
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