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采用磁控溅射技术在SiO2基底上制备了ZnO薄膜。通过椭偏仪和X射线衍射仪（XRD）对薄膜光学特性、内部结构的表征，分析了氧气浓度和溅射功率对薄膜折射率、消光系数以及C轴晶格生长的影响。结果表明：氧气浓度的增加使薄膜的折射率变大，消光系数减小；氧气浓度从20％增至40％时，C轴晶向生长增强，当氧气浓度继续增加，C轴晶向生长受抑；溅射功率对薄膜的光学特性影响较小，对薄膜生长结构影响显著；当工作电流由1．0A增加至1．5A，C轴择优生长增强，当电流继续增加，C轴晶向减弱。