【摘 要】
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基于Zener模型,详细分析了反铁磁性交换作用对（Ga,TM）As（TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni）居里温度的影响,结果表明,反铁磁性交换作用对n型半导体居里温度的影响程度远远大于对p型半导
【基金项目】
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内蒙古工业大学校基金资助项目（X200930）
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基于Zener模型,详细分析了反铁磁性交换作用对（Ga,TM）As（TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni）居里温度的影响,结果表明,反铁磁性交换作用对n型半导体居里温度的影响程度远远大于对p型半导体居里温度的影响,而且在考虑了反铁磁性交换作用后,除了（Ga,Cr）As和（Ga,Mn）As以外都不可能实现室温铁磁性,（Ga,Cr）As和（Ga,Mn）As的掺杂浓度为13.1%和18%时可获得室温铁磁性,但是反铁磁性交换作用相对强弱增强到y=0.01时,任何掺杂浓度都不能实现室温铁磁性。
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