电解液—Si3N4绝缘体界面表面基/复合中心模型的研究

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本文在表面基模型基础上,借用半导体物理中复合/产生概念,提出了表现基/复合中心,工研究了含两种类型表面基的Si3N4绝缘体及其两种面基的比率对Si3N4栅PH-ISFET敏感性能和性的影响,其结果与实验结果相符。对改善PH-ISFET传感器的敏感特性具有实际指导意义。
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