【摘 要】
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利用射频磁控溅射方法在Pt层上制备了沿晶向外延生长的NiO薄膜,研究了其晶体微结构和变温电阻开关特性.微结构观测分析发现, NiO(111)薄膜与Pt层满足"立方-立方"晶格生长关系.在周期性外电场作用下,薄膜中氧空位的定向漂移和电极附近银离子的氧化还原反应相互促进,使得在较低的翻转电压下即可在薄膜中形成周期性导通/截断的氧空位导电丝通道,从而使得Ag/NiO(111)/Pt存储单元在室温至80°
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利用射频磁控溅射方法在Pt层上制备了沿晶向外延生长的NiO薄膜,研究了其晶体微结构和变温电阻开关特性.微结构观测分析发现, NiO(111)薄膜与Pt层满足"立方-立方"晶格生长关系.在周期性外电场作用下,薄膜中氧空位的定向漂移和电极附近银离子的氧化还原反应相互促进,使得在较低的翻转电压下即可在薄膜中形成周期性导通/截断的氧空位导电丝通道,从而使得Ag/NiO(111)/Pt存储单元在室温至80°C测试温度范围里的电流-电压曲线均呈现稳定的双极性电阻开关特性.运用Arrhenius作图法以
其他文献
本文介绍带移民分枝过程极限性质的部分文献,分为下临界、临界和上临界三种情形;同时介绍了作者及合作者的一些最新研究进展,包括带移民临界分枝过程的大偏差和上偏差、带移民上临界分枝过程的调和矩以及大偏差和下偏差等.
基于分位数和耦合的概念,本文提出平稳随机过程分位数-耦合交叉协方差函数的概念.该函数可以描述平稳过程的时间可逆性、状态相依性以及在二阶矩不存在时的长程相依性等自协方差函数无法刻画的过程特征.本文讨论了平稳随机过程分位数-耦合交叉协方差函数的一些基本性质;基于离散抽样,给出了分位数-耦合交叉协方差函数的估计量,并证明了其相合性;利用文中估计方法,对具有相同一维平稳边际分布和自协方差函数的不同类型随机
本文首先介绍KPZ (Kardar-Parisi-Zhang)普适类的物理背景,其中, Eden模型、黏性落体模型和KPZ方程这几类物理模型将被提及;其次,将考察一维KPZ方程的Cole-Hopf解以及几类收敛到一维KPZ方程的离散模型(如角落生长模型和定向聚合物模型等).
单生过程,作为最简单的过程—生灭过程的自然推广,本身具有可靠的研究背景.一方面,单生过程是对经典问题可预期有显式判别准则的最大类过程,从而使得单生过程成为研究无穷维反应扩散过程的基本工具;另一方面,单生过程通常是非对称的,因此被视为非对称过程的突出代表,而关于非对称过程的研究,至今所得结果并不完善,但对于单生过程,研究成果相对完整.本文将介绍单生过程经典问题的判别准则,包括唯一性、常返性、遍历性和
为了更好地理解锆石(U-Th)/He定年技术及应用潜力,文章基于热活化扩散过程原理,通过高精度分步加热实验研究锆石He的扩散特征,分析锆石He扩散动力学参数、封闭温度(Tc)、部分保留区(PRZ)及(U-Th)/He年龄等. FCT锆石标样循环分步加热扩散实验获取扩散系数ln(D/a2)与温度倒数呈负相关,遵从期望的热活化扩散过程(Arrhenius方程).锆石He扩散活化能(Ea)分布在144～
基于深部地球物理探测结果建立的青藏高原东缘-江南造山带的地壳结构,发现扬子块体在NW向受到来自青藏高原东缘物质的逆冲推覆,在SE向受到来自江南造山带物质的逆冲推覆.这些推覆作用控制了川西-江南雪峰造山带西部地壳构造.青藏高原向东挤出的物质,在龙门山断裂带附近遇到坚硬四川盆地的阻挡,以上、中地壳的向上逆冲推覆,下地壳插入到四川盆地之下和扬子块体内地壳的褶皱、缩短、增厚方式被吸收,形成熊坡、龙泉山构造
芳香烃是城市地区人为源排放的重要挥发性有机物,其光化学氧化与臭氧和细颗粒物的生成密切相关.本研究以SAPHIR烟雾箱实验测得的甲苯光化学氧化反应数据为基础,基于盒子模型搭载MCM3.3.1、SAPRC07、RACM2以及CB06机理对不同机理中的甲苯氧化机制进行比较.结果表明,四种机理均可较好地模拟甲苯光化学氧化过程中O_3和OH自由基浓度以及OH总反应活性(kOH)的变化,但是高估了PAN的浓度
在HL-2A装置上,运用磁流体力学数值模拟程序,探究了在低杂波辅助加热放电方案中,低杂波能量沉积区域内的离散阿尔芬本征模(αTAE,α是等离子体压强梯度的标度)的物理特征;探讨了不同等离子体剖面下,αTAE的分布情况.运用线性回旋动理学和磁流体力学混合模拟程序,研究了中性束注入不同能量的粒子对αTAE的影响;另外,还探究了能量沉积区域内的αTAE被高能量粒子激发成不稳定性的物理特征.通过模拟发现,
在能源短缺和环境污染日益严重的今天,为了减少温室气体排放,提高能源利用效率,可再生能源转换技术的研究就显得十分必要.热电材料是一类绿色无污染的能源转换材料,将在工业废热利用以及太阳光热复合发电等方面发挥重要作用,因而受到人们越来越多的关注.本文通过化学气相沉积法(CVD)合成了二碲化钨(WTe2)纳米带用于研究其热电性质.扫描电子显微镜和透射电子显微镜分别证实了生长在Si衬底上的大面积WTe_2样