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提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构－－耗尽型ＭＯＳ关闭栅，有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性。
改善栅控晶闸管关断特性的一种新结构
【摘 要】
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提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构－－耗尽型ＭＯＳ关闭栅，有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性。
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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西安电子科技大学学报
【发表日期】
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1998年2期
【基金项目】
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电科院预研基金
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