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采用硅平面外延工艺,选定集成电路芯片电性能参数指标,运用集成电路设计的原则,设计NPN型超高频小功率晶体管阵列。由6个完全一致的超高频小功率晶体管组成。外形封装可根据设计需要,用DIP14或DIP16等外壳封装,具有频率高、对称性好,体积小、质量轻的特点,可应用在放大电路、开关电路中。
NPN型超高频小功率晶体管阵列的设计
【摘 要】
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采用硅平面外延工艺,选定集成电路芯片电性能参数指标,运用集成电路设计的原则,设计NPN型超高频小功率晶体管阵列。由6个完全一致的超高频小功率晶体管组成。外形封装可根据
【机 构】
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北京信息科技大学理学院
【出 处】
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北京信息科技大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2012年2期
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