【摘 要】
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室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数
【机 构】
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中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体所半导体
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室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点。
GaAs: Gd thin films were prepared by low-energy ion beam epitaxy at room temperature. The results of X-ray diffraction (XRD) showed that no diffraction peaks of other new phases were found except for GaAs substrate peaks. By means of high resolution X-ray diffraction Further analysis of the lattice constant changes. Auger electron spectroscopy (AES) analysis of the composition of the sample surface, and the element distribution with depth, the relative content of the element at 60nm significantly changed, the use of atomic force microscopy (AFM) revealed the surface features of the sample.
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