论文部分内容阅读
利用SF6/C2ClF5,SF6/CCl2F2,SF6/CCL2F2/O2等氟氯族混合气体,在普通的平板型反应离子刻蚀系统上,进行了反应离子深刻蚀硅的研究。在Cr膜的掩护下,SF6/C2ClF5刻蚀硅的速度,但刻蚀的方向性差;SF6/CC12F2和SF6/CCl2F2/O2都可获得各向异性的刻蚀工艺,刻蚀速率在200-500nm/min之间。