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我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究．在（111）硅衬底上，用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242nm的双端固支硅纳米梁；对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击，受轰击侧的原子结构遭到破坏，电导率显著下降，未受轰击侧原子结构则保持原掺杂结构，在梁厚度方向形成非对称掺杂，表现出压阻特性．利用该局部压阻，我们首次完成了对双端固支硅纳米梁的谐振特性的测量，其共振频率为400kHz；同时，我们对获得的低Q值进行了初步讨论．