扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响

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研究了薄层方块电阻对单晶硅太阳电池的开路电压(‰)、短路电流“矗)、填充因子(FF)和转换效率(叩)的影响。通过控制扩散温度和时间制备了具有不同薄层方块电阻的单晶硅太阳电池。结果表明:当扩散温度和时间分别为863℃和1050S时,电池性能得到了有效的改善,其平均开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为0.64V,5.58A,O.755和17.3%。
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