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以金修饰磁性石墨烯(Au@Fe3O4@RGO)为载体,通过表面分子印迹技术,选择水环境中邻苯二甲酸二正丁酯(DBP)为模板分子,制备了金修饰磁性石墨烯基分子印迹复合膜(Au@Fe3O4@RGO-MIP);通过扫描电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等测试手段对其进行了分析表征.以Au@Fe3O4@RGO-MIP作为传感器识别元件的敏感材料,利用循环伏安(CV)、电化学阻抗谱(EIS)和差分脉冲(DPV)等电化学分析方法,对构建的分子印迹电化学传感器进行了性能分析,结果