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利用异相成核种子生长法，采用锌镁盐浸渍和800℃固态烧结两处理步骤，在亚微米级的单分散SiO2球上沉积Zn1-xMgxO。通过XRD、TEM和SEM表征，SiO2表面具有一层约17nm厚的Zn1-xMgxO壳层，EDX证明其组成为Si、O、Mg、Zn，同SiO2／ZnO比较，UV—Vis测试发现其具有更好的紫外吸收性能，红外谱图显示SiO2表面的硅羟基被SiO2和Zn1-xMgxO之间的界面键取代，在波长290nm的紫外光激发下出现了398nm紫色荧光峰和468nm及451nm2个较强的蓝色荧光峰。