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利用石墨烯的电导率可以通过电压调节的特性，研究了一种基于单层石墨烯的太赫兹调制器。为了提高太赫兹−石墨烯相互作用强度，调制器采用一种石墨烯−金属复合结构。全波电磁数值仿真结果表明，在反射工作模式下，该器件在3.5 THz的调制深度大于90%。采用平面半导体工艺，实现了调制器原型器件，并对其反射谱进行了测试，实验数据与仿真结果相符，这为以后实现高质量的太赫兹调制器奠定了基础。