邻苯二甲酸氢铊(TAP)籽晶拼接方向的研究

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本文介绍了把二块(010)TAP晶片,沿不同方向拼接成一块面积扩大一倍的籽晶的方法,其中沿(101)和(101)方向拼接的秆晶可以生长成外形完整透明的晶体;沿(001)和(001)方向拼接的籽晶,在生长过程中拼接区会产生拼接痕迹使拼接失败;沿(100)和(100)方向,以及沿(205)和(205)方向拼接的籽晶在拼接区会形成一个V型凹槽,使晶体生长成独立的两部分,也是不能拼接成功的方向。对不同的拼接结果进行了理论分析讨论。
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