用于硅衬底隔离的选择性多孔硅厚膜的制备

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：baohuse

【摘要】

：

在硅衬底上形成高阻隔离层对于提高硅基射频电路的性能具有重要意义.采用多孔硅厚膜作为隔离层,能够极大地降低衬底高频损耗.本文对n+型硅衬底上选择性多孔硅厚膜的制备进行

【作者】

：

陈忠民刘泽文刘理天李志坚

【机构】

：

清华大学微电子学研究所

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2003年7期

【关键词】

：

射频电路多孔硅厚膜隔离层高频损耗

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在硅衬底上形成高阻隔离层对于提高硅基射频电路的性能具有重要意义.采用多孔硅厚膜作为隔离层,能够极大地降低衬底高频损耗.本文对n+型硅衬底上选择性多孔硅厚膜的制备进行了研究.通过在阳极氧化反应中采用不同的HF溶液的浓度、电流密度和反应时间来控制多孔硅的膜厚、孔隙度等特性.有效地减少了多孔硅的龟裂失效,得到的多孔硅最大膜厚为72μm.并测量了多孔硅的生长速率与表面形貌.

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