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以Ms为基本培养基附加不同浓度的6-BA和NAA，对菊芋茎尖进行离体培养，通过不同的接种前处理，研究适于菊芋茎尖离体培养的低污染处理方法及最适增殖培养基。结果表明，处理2（催芽前严格消毒，催芽过程中保持相对无菌状态，再经75％乙醇和0．1％升汞短时间处理）是菊芋茎尖离体培养中控制污染率的有效方法；MS＋2．0mg／L6-BA＋0．1mg／LNAA可作为菊芋增殖培养的最适培养基。