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应用射频磁控溅射方法,在Si基片上采用不同的溅射工艺制备了铁电薄膜底电极Pt/Ti,并分析了在不同温度下退火后材料的电导率性能和粘结力性能,从理论和实验上分析了不同的溅射工艺和退火处理对底电极性能的影响.
铁电薄膜存储器底电极Pt／Ti的制备及性能研究
【摘 要】
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应用射频磁控溅射方法,在Si基片上采用不同的溅射工艺制备了铁电薄膜底电极Pt/Ti,并分析了在不同温度下退火后材料的电导率性能和粘结力性能,从理论和实验上分析了不同的溅射
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
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信息记录材料
【发表日期】
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2002年3期
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