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超大规模集成电路Cu互连中的核心技术之一是制备性能优异的扩散阻挡层。本文采用直流磁控反应溅射在N2／Ar气氛中制备了不同组分比的Ta-N薄膜，并原位制备了Cu／Ta-N／基底复合结构，对部分样品在N2保护下进行了快速热处理（RTA），采用台阶仪、四探针测试仪、原子力显微镜（AFM）、扫描电镜、X射线衍射（XRD）对薄膜形貌结构进行了表征。结果表明，随着N2流量比的增加，薄膜沉积速率下降，表面趋于平滑，Ta-N薄膜热稳定性能及阻挡性能随之提高，而电阻率则上升。氮流量比为0．3制备的厚度为100nm的Ta-N